PVD（物理氣相沉積）鍍膜工藝是一種在真空條件下，采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。PVD鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。

以下是PVD鍍膜工藝的基本過程及一些具體的工藝參數：

1. 真空蒸發鍍膜：

• 基本過程：

1. 加熱膜材，使之蒸發或升華，成為具有一定能量的氣態粒子（原子、分子和原子團）。

2. 氣態粒子以無碰撞的直線飛行輸運到基體表面。

3. 氣態粒子凝聚形成核后生長成固相薄膜。

4. 薄膜的原子重組排列或產生化學鍵合。

• 參數示例（熱蒸發）：

• 襯底溫度：根據具體材料和需求而定。

• 蒸發材料：根據所需薄膜的材質而定。

• 真空度：高真空，以保證蒸發材料的純凈和薄膜的均勻性。

• 蒸發速率：根據蒸發材料和基體材料而定，需控制在一定范圍內以保證薄膜質量。

2. 真空濺射鍍膜：

• 基本過程：

1. 在電場或磁場的作用下，高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子或分子被濺射出來。

2. 濺射出來的原子或分子在真空中飛行并沉積在基體表面形成薄膜。

• 參數示例（射頻磁控濺射）：

• 濺射氣體：如氬氣等惰性氣體，用于產生高能離子。

• 射頻功率：控制離子轟擊靶材的能量和濺射速率。

• 真空度：高真空，以減少氣體分子對濺射原子的碰撞和散射。

• 靶材與基體的距離：影響濺射原子的飛行距離和薄膜的均勻性。

3. 真空離子鍍膜：

• 基本過程與真空濺射鍍膜類似，但增加了電離過程，使濺射出來的原子或分子形成離子并沉積在基體表面。

• 參數示例：與真空濺射鍍膜類似，但還需考慮電離過程的參數設置，如電離電壓、電離電流等。

需要注意的是，PVD鍍膜工藝的參數設置需要根據具體的材料、設備和需求進行調整和優化。同時，PVD鍍膜技術也在不斷發展中，新的工藝和參數也在不斷涌現。因此，在實際應用中，需要根據具體情況進行選擇和調整。